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朱丽萍、何海平编著的《宽禁带化合物半导体材料与器件》共9章,主要内容为:绪论;化合物半导体材料基础;化合物半导体中的缺陷;宽带隙半导体发光;化合物半导体器件基本原理,包括pn结、超晶格与量子阱;宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用,主要介绍SiC、ZnO和GaN的研究现状。
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