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CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固【放心购买】 线上线下同步销售，请咨询客服查询库存后下单，避免纠纷。
《CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固》针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU，分别从建模和加固两个方面进行了研究。包括RHBD和S0I工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。
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嵌入式处理器调试方法与案例分析 扈啸,王耀华 著 国防科技大学出版社
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