太阳能电池的硅晶体生长 即使对于多晶硅硅片(multicrystalline Si wafer),其宏观特性也可以在晶体生长过程中,通过控制其微观结构加以改变。
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太阳能电池的硅晶体生长宇佐美德隆 著;[日]中岛一雄、高扬 译上海交通大学出版社(正版旧书)9787313190482 正版旧书,保证质量,此书为单本而非一套,电子发票!
《太阳能电池的硅晶体生长》的写作目的是为了向读者介绍应用于太阳能电池的各类硅晶体生长机理、模拟、工艺及特性。本书首先论述了制备硅原料的冶金级硅方法、西门子法和冶金法,然后讨论了生产单晶硅棒的切克劳斯基法和区熔法、生长多晶硅铸锭的定向凝固法、铸造单晶硅技术以及多晶硅铸锭的亚晶界问题,再论述了可以替代硅片的带硅和球形硅技术,接着解释了制备晶体硅薄膜太阳能电池的液相外延法、气相外延法、闪光灯退火、铝诱导层交换,后提供制备太阳能级硅需要的热化学数据库和动力学数据库。《太阳能电池的硅晶体生长》可以作为一本参考书,适合物理系、材料系、化学系、光学系、电子工程系、动力与能源系或其他相关专业的本科生、研究生和教师,学习研究太阳能硅晶体生长技术。本书也可以作为太阳能研究机构科学家或太阳能
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