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超导电性-第二类超导体和弱连接超导体(重排本) 中外物理学精品书系
《超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》在编排上的显著特点是适合不同读者需求,读者可以根据各自的情况阅读本书的全部或一部分,一些辅助性的数学计算和少量进一步的内容都写在各章的附录中,它们可以全部略去,而不影响各章的内容;书中还有一些带星号的章节,它们是一些较深、较难的内容,也可以略去不读。除此之外,在每章中还加了一些注解,帮助读者阅读和理解;在有些章前面还写了引言,使读者能更好地了解各章所讨论的问题以及它们的意义。 此书是经典系列选题,是再版书。作者吴杭生是此领域专家,主要从事超导电性理论研究。在铁磁与超导共存问题、过渡金属超导电性、超导薄膜、超导临界温度、第二类超导体、约瑟夫逊效应和高Tc铜氧化物等方面作了大量系统的研究,取得突出成果。在开创和推动我国超导电性
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超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本) 北京大学旗舰店正版
《超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》在编排上的显著特点是适合不同读者需求,读者可以根据各自的情况阅读本书的全部或一部分,一些辅助性的数学计算和少量进一步的内容都写在各章的附录中,它们可以全部略去,而不影响各章的内容;书中还有一些带星号的章节,它们是一些较深、较难的内容,也可以略去不读。除此之外,在每章中还加了一些注解,帮助读者阅读和理解;在有些章前面还写了引言,使读者能更好地了解各章所讨论的问题以及它们的意义。 此书是经典系列选题,是再版书。作者吴杭生是此领域专家,主要从事超导电性理论研究。在铁磁与超导共存问题、过渡金属超导电性、超导薄膜、超导临界温度、第二类超导体、约瑟夫逊效应和高Tc铜氧化物等方面作了大量系统的研究,取得突出成果。在开创和推动我国超导电性
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本书共分8章由浅入深地进行介绍。第1章和第2章简要介绍半导体量子点基本特性,其中第1章是关于半导体量子点形貌结构特征,第2章是关于半导体量子点的基本相干特性和单量子点的实验探测技术。第3章至第5章涉及量子计算:第3章介绍半导体量子点激子量子比特旋转及其品质因子,并且比较深入地讨论了量子点体系中多种复杂的退相干机制对其品质因子的影响;第4章介绍半导体量子点中实现CNOT量子逻辑门以及Deutsch—Jozsa逻辑运算,这两者是量子计算中的基本量子逻辑操作;第5章分析和讨论半导体量子点中激子自旋的弛豫机制,并介绍利用相干光学方法实现激子自旋的交换。第6章至第8章涉及量子信息:其中第6章和第7章分别介绍半导体量子点的单光子发射和级联多光子发射过程;第8章介绍半导体芯片上单个半导体量子点发射纠缠光子对的特性,分析和讨论多种
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完美晶体是在理论物理和科幻小说中经常见到的一种理想化情形。只有通过很多实验工作,真实晶体中*常见缺陷的本质和性质才能得以辨识。同时,缺陷理论通过一系列模型、近似和推断得到了发展,而这些想法的基础在它们的演变过程中常常被遗忘了。 A.M.斯托尼汉姆编著的《固体缺陷理论(第2卷绝缘体和半导体中缺陷的电子结构)》主要阐述绝缘体和半导体缺陷的电子结构,适用于固态物理专业的研究生和科研工作者。
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本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共分为三部分,十五章。**部分是半导体材料属性,包括固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡态半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子;第二部分是半导体器件基础,主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管;第三部分是专业半导体器件,主要介绍光器件、半导体微波和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。全书内容丰富、概念清楚、讲解深入浅出、理论分析透彻。另外,全书各章难点之后均列有例题、自测题,每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末
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彭英才编著的《低维半导体物理》主要介绍了半导体超晶格与量子阱、量子线、量子点与纳米晶粒等低维体系的能带特征、电子状态、量子效应、输运性质、光学性质和磁学性质等。本书可作为普通高等学校相关专业博士研究生、硕士研究生的教材,也可供高年级本科生和相关领域的科技工作者参考阅读。
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