高压开关设备和控制设备标准的共用技术要求(DL/T593-2006)
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高电压试验是高电压技术的一个重要组成部分，是判断电气设备状态的基本手段。高电压试验是制造厂、建设安装部门和电力生产部门都必不可少的一种技术手段。同时高电压试验还是科学研究的重要手段。因而高电压试验在电力系统生产中占有举足轻重的地位。
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DL/T？1327-2014 高压交流变电站可听噪声测量方法
本标准适用于35 kV及以上电压等级的交流变电站主要噪声源（主变压器、电抗器、通风风机等）、作业场所和变电站站界可听噪声的测量。
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《高电压技术》是根据全国高等学校电力工程类专业教学指导委员会制定的《高电压技术课程教学基本要求》编写的，可作为电力类各专业学生学习本课程时的教科书。全书在编写过程中强调基本内容、基本概念和基本训练，同时又注意新内容的引入，适应高电压技术发展的需要。另外注意深入浅出，说理清楚，便于教学，便于自学，并参考了国内外不少有关教材和资料，其中主要的部分已列人参考文献中。本书由杨保初教授担任主编。
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我国电网正处于高速发展阶段，特高压交流主干电网的建设、特高压直流输电的广泛采用、已有输电通道输送能力的提升、电能质量的提高等为电力电子技术在电力系统中的应用开辟了广阔的领域。本书旨在系统介绍和探讨电能传输领域的电力技术 高压直流输电与柔性交流输电技术，全书共分11章，分别介绍了高压直流输电与柔性交流输电相关的技术理论、电路拓扑、控制技术和系统研究等内容。
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《国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用》共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结
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