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基于位错机制的微米-亚微米尺度晶体塑性理论和计算:英文版 晶体学 清华大学出版社 七天无理由退货 团购优惠 正规发票
《基于位错机制的微米-亚微米尺度晶体塑理论和计算（英文版）》将很有可能成为国内外本讲述在微米和亚微米尺度基于连续和离散位错机制的晶体塑理论和计算专著。
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晶体生长原理与技术 介万奇 著 9787030287083 科学出版社 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
本书将在绪论中，对人工晶体生长的基本概念，研究范畴，研究历史和晶体生长方法分类等基本概念进行简要介绍。然后分4篇进行论述。第一篇为晶体生长的基本原理，将分5章，对晶体生长过程的热力学和动力学原理，结晶界面形貌与结构，形核与生长的动力学过程进行描述。第二篇为晶体生长的技术基础，将分3章，对晶体生长过程的涉及的传热、传质及流体流动原理，晶体生长过程的化学原理和晶体生长过程控制涉及的物理原理进行论述。第三篇为晶体生长技术，将分4章对熔体生长（2章）、溶液生长、气相生长的主要方法及其控制原理进行论述。第四篇，晶体的性能表征与缺陷，将分2章，分别对晶体的结构、性能的主要表征方法，晶体的结构缺陷形成与控制原理进行论述。
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《晶格动力学理论》系玻恩，黄昆教授关于晶格动力学方面的经典著作，在物理学领域有着广泛的影响，通过本次的重新编排校对，该书将作为物理学经典著作予以传承。系统、全面地阐述了晶格动力学的有关理论，分为基本理论和普遍理论两大部分，还给出了作者在相关领域多年的具有世界水平的研究成果。
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《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。
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