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氮化镓(GaN)是一项有望取代功率晶体管中硅MOSFET的新兴技术。随着硅基功率晶体管接近其性能极限,而GaN晶体管能够提供出色的导电性和开关特性,这使得设计人员能够大大降低系统的功耗、尺寸、重量和成本。《氮化镓功率晶体管器件、电路与应用》(原书第2版)是在版基础上进行了内容扩展并及时出版,使学生和电源转换工程师能学到GaN技术的新知识。GaN晶体管不是当前硅基MOSFET技术的替代品。本书可作为理解GaN晶体管结构、特性和应用的实用指南,其中包括对这些功率半导体的基础物理学、版图布局和电路设计的讨论,以及采用GaN器件时设计技术的具体应用实例。由于具有更高频率的开关功能,GaN器件有助于提高现有应用(如DC-DC变换)的效率,同时为包括无线电能传输和包络跟踪在内的新应用开启可能性。本书是必不可少的学习工具和参考指南,可帮助
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