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《半导体物理与器件（第4版）（英文版）》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，共三部分（合计15章）。第一部分是基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理；第二部分是半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分是半导体器件物理，主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。
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本书共分8章由浅入深地进行介绍。章和第2章简要介绍半导体量子点基本特性，其中章是关于半导体量子点形貌结构特征，第2章是关于半导体量子点的基本相干特性和单量子点的实验探测技术。第3章至第5章涉及量子计算：第3章介绍半导体量子点激子量子比特旋转及其品质因子，并且比较深入地讨论了量子点体系中多种复杂的退相干机制对其品质因子的影响；第4章介绍半导体量子点中实现OT量子逻辑门以及Deutsch—Jozsa逻辑运算，这两者是量子计算中的基本量子逻辑操作；第5章分析和讨论半导体量子点中激子自旋的弛豫机制，并介绍利用相干光学方法实现激子自旋的交换。第6章至第8章涉及量子信息：其中第6章和第7章分别介绍半导体量子点的单光子发射和级联多光子发射过程；第8章介绍半导体芯片上单个半导体量子点发射纠缠光子对的特性，分析和讨论多种因素对
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