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芯片制造是国家急需解决的“卡脖子”问题。本书作者是半导体工程师，有30多年的从业经验，对于芯片制造各关键工艺有深刻理解。本书是芯片理论、设计和制造的实用指南，书了芯片制造设备基础知识，芯片制造主要工艺，以及芯片工艺设计和解决问题的技巧等内容，书中内容均源于作者几十年的实践经验，具有强的参考价值。
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第三代宽禁率半导体，是指以碳化硅（SiC)和氮化镓(GaN)为材料的半导体，由于其高耐压、高电子迁移率、耐高温等特，在许多场合体现出比上一代硅（Si）基半导体器件更大的优势。封装是器件运用（商用）必不可少的一环，尤其是封装的可靠，对于集成电路（IC）的能几乎起到了决定作用，新型封装技术的能力制约着器件运用。研究封装，尤其在高温、高压、高频的场合，各种新型封装技术是宽禁率半导体器件应用推广的关键。本书是国外技术专家学者对第三代宽禁率半导体封装技术的一结，结合实际应用的理论分析和思路其实对于封装技术的推动和发展有着很好的借鉴作用。 通过阅读本书内容，可以快速建立起关于整个宽禁率半导体器件封装技术的全貌，理解封装的本质是一个多物理场耦合的结果，也是一个多学科交叉的综合体。首先，对宽禁率器件的发展趋
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