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p> 胡正明教授所著的《现代集成电路半导体器件》是一本非常成功的本科生教材。与其他教材不同的是,本书没有采用按电子器件、光电子器件、微波器件等通常的分类形式,而是强调了不同半导体器件中的共性,集中介绍了PN结、金属半导体接触、双极型晶体管和MOSFET等几个基本器件的结构和理论,在此基础上引入了其他重要的半导体器件,如太阳能电池、LED、二极管激光器、CCD和CMOS图像传感器、HEMT器件和存储器等。本书内容从半导体物理的基本知识开始,深入介绍了现代半导体器件的基本理论和**进展,并在每一章的*后列出了许多习题和很有价值的参考资料。本书结构清晰紧凑,内容深入浅出,理论讲解生动有趣,为我们提供了一本深入阐述半导体器件的物理机制和工作原理并与实践相结合的优秀教材。本书不仅可以作为本科生教材,也可以作为半导体工艺
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《电力半导体器件原理与应用》由袁立强、赵争鸣、宋高升、王正元编著,共分为8章,第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途;第2章介绍半导体器件物理基础,包括半导体与导体、绝缘体,原子中的电子能级,晶体中的能带等;第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理,包括单PN结器件及多PN结特性;第4章介绍单极型及混合型电力半导体器件基本原理,涉及结型场效应器件、静电感应器件、功率MOS―FET、混合型器件IGBT和混合型器件IGcT等;第5章叙述电力半导体器件的特性和参数,包括双稳态和双瞬态的基本工作状态,通态特性、阻态特性、开通过程、关断过程、触发特性以及系统安全工作区等;第6章重点分析了电力半导体器件应用特性,包括电力半导体器件的串、并联使用、电力半导体器件可靠性和失效分析以及电力半导体器件的保护等
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本书有两个目的 讨论IV族、III-V族和ll-V1族半导体材料关键的特性 从固体物理的观点使得这些特性系统化 本书大部分内容主要用于描述这些半导体材料晶格的结构、热学、机械、品格动力学、电子能带结构、光学和载流子输运等特性。另外,本书也讨论了某些集体行为产生的效应如压电效应、光弹效应和电光效应。 本书包含了大量可方便使用的表格,这些表格整合了各种半导体材料的特性以及各种半导体材料重要特性的定义。本书也包含了大量的图片以便数据更加量化,更加清楚明了。 本书目标读者不仅仅是半导体器件工程师,也包括物理学家和物理化学家,特别是在半导体材料的合成、晶体生长、半导体器件物理和技术等相关领域学习的学生。
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《炫彩LED创意制作》(作者Nick Dossis)包含一些有趣的电子项目,使用了多种不同的LED元器件,其中包括标准单色、三色、RGB、红外线、七段、条形和点阵显示器等。 《炫彩LED创意制作》的目标读者是对电子学和视觉艺术非常感兴趣的人群,适合从事相关研究工作的人员参考阅读。
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梁竹关、赵东风编著的《MOS管集成电路设计》以10章篇幅,介绍了MOS管集成电路设计的基础理论知识,以及MOS管模拟集成电路和数字集成电路的基本设计方法和技术。本书可作为高等院校电子科学与技术、电子信息科学与技术、电子信息工程及通信工程等专业的本科生和研究生教材,也可供有关科研人员和工程技术人员参考。
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本书笔者樊融融结合多年来的工作经验,从电子装联可靠性基本概念入手,对电子装联可靠性的重要性、影响因素、形成机理、失效模型、有铅/无铅差异等技术点进行了系统阐述。从焊点可靠性设计、焊点加固、可靠性试验等方面给出了提高电子装联工艺可靠性的各种指导原则。因此,期待本书的出版能够给广大的电子装联技术工程师提供重要参考,推动国内电子装联工艺可靠性技术研究不断向前发展。
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为了适应当前集成电路的迅猛发展和新型半导体器件的不断涌现,我们编写出版了本书一书。 本书不仅介绍和分析了集成电路领域内一些基本器件,如p-n结、双极型晶体管、单栅金属氧化物场效应管、功率晶体管等的基本结构和工作原理,还根据当前科学技术的发展,介绍和分析了一些新型器件的结构和工作原理,如铁电存储器、相变存储器、阻式存储器、多栅场效应管以及肖特基势垒源/漏结构场效应管等。 本书的作者们在集成电路领域具有多年的教学和科研经验,希望通过该书的学习或阅读,为读者了解集成电路领域传统的和新型的半导体器件结构以及它们的基本原理有所帮助。本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材,也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
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