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本书共6章。 第1章介绍了高电荷态离子的特点及其产生方式,梳理了高电荷态离子与固体表面的相互作用过程及研究进展,阐述了对电子发射产额进行研究的意义及进展,讨论了电子发射的机制及影响因素。 第2章介绍了电子发射实验装置(中国科学院近代物理研究所自行设计的320 kV高电荷态离子综合实验平台上的超高真空表面物理实验终端)、靶材的处理、加热模块的工作原理以及高电荷态离子入射固体靶材表面时电子发射产额的测量方法(包括电子数统计法和靶电流法)。 第3章梳理了Neq+(q=2,4,6,8)垂直入射到Si表面时电子发射产额的测量结果,分析了电荷态对势能电子发射和动能电子发射的影响。 第4章基于Ne2+、O2+分别正入射W表面时电子发射产额的测量结果,分析了Ne2+、O2+分别与W表面作用过程中的电子发射产额机制,讨论了在一定能量范围内,反冲原
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全球走向碳中和,能带来节能效果的第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)无疑是未来的希望。第三代半导体能源转换效率能达到95%以上,在阳光能源、数据中心、5G、汽车电子等市场的应用值得期待,引起了学术界和产业界的高度重视,我国也将第三代半导体写入了“十四五”规划当中,本书的特点是每一章都由全球不同的从事GaN研究机构的专家撰写,引用了大量的代表*新成果的文献,因而其翻译和出版对于国内GaN方
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