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《半导体量子器件物理》在简要论述半导体材料基本电学和光学性质的基础上,剖析了近年来半导体器件向小型化发展的趋势,结合作者自身的工作,着重讨论器件的量子效应。对传统二极管、三极管等器件在纳米尺度上的特性以及新型量子器件都作了详尽的阐述。在全书的最后一章,提供了关于量子器件的基本计算方法和程序。 《半导体量子器件物理》可作为应用物理、电子学、材料专业领域内高年级本科生、研究生的教材,以及相关领域科研人员的参考读物。
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《超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》较系统地介绍第二类超导体和弱连接超导体的性质、理论和应用。全书选材偏重于实用方面,对和实际应用有关的物理问题,书中尽可能阐述清楚;对目前距离实际应用还较远或没有关系的内容,则予以略去,或者只是简单地提及。具体内容为:理想第二类超导体,非理想第二类超导体,超导材料的临界电流密度和显微结构的关系,磁通跳跃,退化和稳定方法,交流损耗,弱连接超导体,伏安曲线的阶梯结构,电磁波的产生、混频和检测,超导量子干涉器等。 《超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》可供从事超导电性应用和实验工作的科技工作者和大学物理系低温专业师生参考。
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《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。本书是黄昆先生重要著作,作为经典文库丛书再次出版。
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