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彭英才编著的《低维半导体物理》主要介绍了半导体超晶格与量子阱、量子线、量子点与纳米晶粒等低维体系的能带特征、电子状态、量子效应、输运性质、光学性质和磁学性质等。本书可作为普通高等学校相关专业博士研究生、硕士研究生的教材,也可供高年级本科生和相关领域的科技工作者参考阅读。
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本书讲述半导体的物理基础,是半导体科技的入门教材。全书包括七章:第一章在能带的框架内讲解半导体电子的能量状态;第二章简要介绍电子的平衡统计;第三章讲述能带电子的输运规律;第四章说明外界作用引起额外载流子的行为;第五章讨论半导体的表面与界面;第六章介绍金属一半导体接触、pn结、异质结、量子阱及超品格;第七章讲解半导体光谱。本书内容新颖,便于使用。 本书可作为物理专业本科生的教材,也可供其他有关专业的师生及科研人员参考。
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《半导体物理与器件(第4版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。
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本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共分为三部分,十五章。部分是半导体材料属性,包括固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡态半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子;第二部分是半导体器件基础,主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管;第三部分是专业半导体器件,主要介绍光器件、半导体微波和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有的深度和广度。全书内容丰富、概念清楚、讲解深入浅出、理论分析透彻。另外,全书各章难点之后均列有例题、自测题,每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末列有习题和
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本书共分8章由浅入深地进行介绍。章和第2章简要介绍半导体量子点基本特性,其中章是关于半导体量子点形貌结构特征,第2章是关于半导体量子点的基本相干特性和单量子点的实验探测技术。第3章至第5章涉及量子计算:第3章介绍半导体量子点激子量子比特旋转及其品质因子,并且比较深入地讨论了量子点体系中多种复杂的退相干机制对其品质因子的影响;第4章介绍半导体量子点中实现OT量子逻辑门以及Deutsch—Jozsa逻辑运算,这两者是量子计算中的基本量子逻辑操作;第5章分析和讨论半导体量子点中激子自旋的弛豫机制,并介绍利用相干光学方法实现激子自旋的交换。第6章至第8章涉及量子信息:其中第6章和第7章分别介绍半导体量子点的单光子发射和级联多光子发射过程;第8章介绍半导体芯片上单个半导体量子点发射纠缠光子对的特性,分析和讨论多种因素对
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半导体物理性能手册-第3卷-(上册)足立贞夫哈尔滨工业大学出版社9787560345185
the progress made in physics and technology of semiconductors depends main.ly on three families of materials: the group—iv elemental,ⅲ—ⅴ, and ⅱ—ⅵ compound semiconductors.almost all ⅱⅵ compound semiconductors crystallize either in the zincblende or wurtzite structure.the first research papers on ⅱ—ⅶ compound semiconductors date back to the middle of the nineteenth century.in the ensuring hundred years extensive literature has been accumulated as much research and development works are being carried out on these compound semiconductors.at present, the ⅱ—ⅵ compound semiconductors are widely used as photodetectors, x—ray sensors and scintillators, phosphors in lighting, displays, etc.new applications are continuously being proposed.thus, it seems to timely bring together the most up—to—date information on the material and semiconducting properties of ⅱ—ⅵ compound semiconductors.
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