为了适应当前集成电路的迅猛发展和新型半导体器件的不断涌现，我们编写出版了本书一书。 本书不仅介绍和分析了集成电路领域内一些基本器件，如p-n结、双极型晶体管、单栅金属氧化物场效应管、功率晶体管等的基本结构和工作原理，还根据当前科学技术的发展，介绍和分析了一些新型器件的结构和工作原理，如铁电存储器、相变存储器、阻式存储器、多栅场效应管以及肖特基势垒源／漏结构场效应管等。 本书的作者们在集成电路领域具有多年的教学和科研经验，希望通过该书的学习或阅读，为读者了解集成电路领域传统的和新型的半导体器件结构以及它们的基本原理有所帮助。本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
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《半导体材料研究进展（第1卷）》首先回顾了半导体材料的发展史，简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术；然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述；接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用，宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用；进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的II-VI族半导体材料的研究现状与发展趋势；最后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的最新研究进展。 《半导体材料研究进展（第1卷）》可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生
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本书使用大量图表，通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术，其中，第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类，同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角；第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT，从基本单元结构描述制造过程，然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作，此外，还提到了功率器件所需的各种特性，并加入改进这些特性的**器件技术的说明；第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述；第5章概述SiC功率器件，讲解二极管、MOSFET和封装技术，对于最近取得显著进展的**的SiC MOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。
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