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功率半导体器件及其仿真技术【正版书籍，可开发票，满额减】 【正版】
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电子束曝光微纳加工技术顾文琪 主编北京工业大学出版社9787563913008 正版旧书，保证质量，此书为单本而非一套，电子发票！
本书系统地介绍了电子束曝光技术的发展历史和原理、系统的组成和分类、应用和发展前景，同时详细介绍了多种先进的电子束曝光机的性能和技术指标，电子光学柱、精密工件台等分部件和掩模版制作、电子束直刻等关键技术。全书共分10章，第一章为电子束曝光技术概论；第二章为电子束曝光机中的电子光学系统；第三章为工件台及激光干涉仪精密定位；第四章为图形发生器；第五章为检测、对准和校正技术；第六章为电子束曝光机的计算机控制技术和数据转换；第七章为电子束曝光制图艺；第八章为真空控制系统；第九章为国内外几种束曝光机的介绍；第十章为电子束曝光技术的应用和发展前景。 本书可作为微电子专业领域的科技人员和从事微电子、微光学、微机械等微纳加工技术领域的科技人员的技术参考书，财同时还可作为高等院校专业教师、研究
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《电力半导体器件原理与应用》由袁立强、赵争鸣、宋高升、王正元编著，共分为8章，章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单PN结器件及多PN结特性；第4章介绍单极型及混合型电力半导体器件基本原理，涉及结型场效应器件、静电感应器件、功率MOS―FET、混合型器件IGBT和混合型器件IGcT等；第5章叙述电力半导体器件的特性和参数，包括双稳态和双瞬态的基本工作状态，通态特性、阻态特性、开通过程、关断过程、触发特性以及系统安全工作区等；第6章重点分析了电力半导体器件应用特性，包括电力半导体器件的串、并联使用、电力半导体器件可靠性和失效分析以及电力半导体器件的保护等；第7章进一步分析
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《Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（下册）》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书，适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括：四面体键元素及其化合物特性的实验数据（B）;III、V、VI族元素特性的实验数据（C）;各族元素的二元化合物特性的实验数据（D）;各族元素的三元化合物特性的实验数据（E）;硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据（F）;以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。
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LED照明技术与灯具设计 刘祖明 著 机械工业出版社 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点。LED照明又称为固态照明，作为继白炽灯、荧光灯后的第三代照明技术，具有节能、环保、安全可靠等特点。固态光源是被业界看好的未来十年替换传统照明器具极具潜力的新型光源，代表着照明技术的未来。发展新固态照明，不仅是照明领域的革命，而且符合当前“建设资源节约型和环境友好型社会”的要求。 《LED照明技术与灯具设计》以LED、LED电源及LED照明灯具设计、应用为基础，先对LED的主要参数、功能名称、特点、应用、封装、内部结构等知识进行介绍，同时也介绍LED集成驱动电路的名称、封装、特点、应用电路等。结合一些案例和作者多年LED照明设计经验与实用技巧，介绍相关灯具的设计与安装，同时也介绍国内外LED照明灯具认证、LED电源驱动芯片生产商、LED芯片
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《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件：原理、特性和可靠性》介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件：原理、特性和可靠性》内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的新的成果。本书是一本精心编著，并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版，必将有助于我国电力电子事业的发展
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《电力电子新技术系列图书：电力半导体新器件及其制造技术》介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件[（包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管（IGCT））]、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT），以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区，功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。
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