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本书主要介绍集成电路工艺制程技术的发展过程,集成电路工艺制造技术从*初的BJT工艺制造技术发展到CMOS工艺制造技术,同时器件也从*初的BJT发展的MOSFET。由于体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP会组成的电路,它在一定的条件下被触发而形成低阻通路,从而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片,通常把该现象称为闩锁效应。 闩锁效应存在于体CMOS集成电路中,它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题,随着CMOS工艺技术的不断发展,工艺技术日趋先,器件的特征尺寸越来越小,并且器件间的间距也越来越小,集成电路的器件密度越来越大,集成电路的闩锁效应变得越来越严重,特别是在IO电路中。

本书是 十二五 普通高等教育本科*规划教材、国家精品课程教材和国家电工电子教学基地教材《电路与电子学(第5版)》(ISBN 978-7-121-33121-3)的配套教材。每章包含教学要求、主要知识、解题指导和习题解答4部分内容。其中解题指导部分补充了一些主教材中没有的题目,以加强理解某些重要概念和解题方法。*后给出了东北大学的部分模拟试题及参考答案。

无线网状网是近年来通信领域中令人瞩目的技术,无线网状网技术在产业化方面取得了显著的成果,在标准化方面也获得了长足的进展。

本书由通信设计单位的一线资深专家联合编写,对运营商的网络现状、面临的问题,以及5G 时代的承载网该如何规划行了深全面的分析和阐述。这本书是他们丰富工作经验的智慧结晶,相信他们的研究和总结会给广大读者带来深刻的思考和启迪。当然,5G 的规模建设和应用尚需时日,书中对5G承载技术的分析和判断还需要实践检验,但是本书至少能够成为读者全面了解和研究5G 承载技术的重要参考资料。

