
正版新书现货 半导体器件物理导论研究生系列教材 向斌主编 中国科大出版社 可开发票 联系在线客服索取
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正版 新一代功率半导体研发与应用精讲 岩室宪幸 半导体 功率半导体 集成电路 芯片 SiC器件 GaN技术 金刚石半导体
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![半导体器件电子学 格朗 著;[美]沃纳 9787505379626 电子工业出版社](images/model/guan/url_none.png)
半导体器件电子学 格朗 著;[美]沃纳 9787505379626 电子工业出版社 【速开发票,优质售后,支持7天无理由退换】
全书分5章,内容包括现代电子学基础、半导体体特性、PN结、双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等半导体器件电子学中最基本、最经典的内容。从电荷、电场开始,循序渐渐地讲解半导体体特性、器件理论,最后深入分析两类最基本的晶体管(BJT和MOSFET)并对其性能作比较,本书还特别强调SPICE分析方法。这些内容和讲述方法在国内同类书籍中并不多见。 本书在正式出版之间,作者已用它在美国明尼苏达大学电机工程系讲授多年。书中吸收了作者的教学经验及学生们的意见,内容精心安排,文字叙述简洁,公式推导准确易懂,图例说明清晰,并包含大量的习题解答,使本书非常适用于教学;每章后面的小结、复习要点与习题便于读者更好地理解、掌握有关的基本概念,并能将其灵活运用到工程实践中。
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《IGBT基础与应用实务》对于业余爱好者、即将就业的电子大学生有启发性作用,对刚刚从事功率电子电路硬件设计的工程师亦有参考价值。
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功率半导体器件与应用 斯蒂芬·林德(Stefan Linder) 著;肖曦、李虹 译 9787111534570 机械工 【速开发票,优质售后,支持7天无理由退换】
功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础,详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件,包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容,《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时,作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家,作者斯蒂芬林德(Stefan Linder)还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析,力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书,也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。
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半导体物理基础 黄昆,韩汝琦 著 9787030287281 中国科学技术经典文库·物理卷 科学出版社
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半导体器件基础(美) Robert F. Pierret (罗伯特 · F. 皮埃雷)半导体技术电子工业出版社新华书店正
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n硅通孔(TSV)技术是目前半导体制造业中最为先进的一项颠覆性技术,是三维硅(3D Si)集成技术和三维芯片(3D IC)集成技术的核心和关键。TSV技术具有更好的电性能、更低的功耗、更宽的带宽、更高的密度、更小的外形尺寸、更小的重量等优势。 《三维电子封装的硅通孔技术》是美国知名专家JohLau博士关于TSV关键技术的力作,本详细介绍TSV关键技术的专著。JohLau博士在微电子行业拥有超过36年的研发经验。 本书原版一经出版就受到国际学者的关注。中译本由中国电子学会电子制造与封装技术分会邀请从事TSV相关技术的知名专家翻译并审校,集中体现了国际上的研究成果。 《三维电子封装的硅通孔技术》不仅详细介绍了制作TSV所需的6个关键工艺,同时还对三维集成的关键技术——薄晶圆的强度测量和拿持、晶圆微凸点制作、组装技术以及电迁移问题,以及
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《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》面向对半导体科学技术感兴趣的读者,既可以作为大学和研究生阶段半导体物理和器件课程的辅助读物,也有助于半导体专业人士了解本学科历史发展的更多细节。
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《硅半导体器件辐射效应及加固技术》重点分析讨论了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法,包括:空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析,硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子栅穿和单粒子烧毁的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法,后对纳米级器件结构的辐射效应以及辐射加固的基本原理进行概述和展望。
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