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1.本书特色鲜明,图表丰富且直观,专业术语的表述简洁易懂,无论读者背景如何,都能轻松阅读并理解。2.作者科里·理查德凭借其长期在半导体投资领域的实践经验,对半导体产业有着全面而深入的洞察与独到见解。3.本书的翻译工作由中科院半导体所的姬扬老师担任,他丰富的半导体图书翻译经验确保了书中知识的准确性,为读者提供了可靠的学习资源。
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《功率半导体器件及其仿真技术》是在作者多年从事功率半导体器件工艺和产品开发的基础上完成的。全书共分为五部分,即功率半导体器件的基础、工作原理、加工工艺、设计及热设计,其中前两部分是功率半导体器件应用基础,重点给出了功率半导体器件的发展历史、目前的制作水平、未来发展趋势和几种常见功率器件的工作原理;后三部分主要给出了作者在工作中所使用的工艺和产品设计过程中运用的基本理论和基本技术,特别是在设计部分,作者给出了自己实际工作过程中编制计算程序的源代码、晶闸管的设计流程和经验参数计算等。 《功率半导体器件及其仿真技术》可为从事功率器件的研究人员提供十分有价值的设计参考。
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《半导体材料研究进展(第1卷)》首先回顾了半导体材料的发展史,简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术;然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述;接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用,宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用;进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的II-VI族半导体材料的研究现状与发展趋势;后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的新研究进展。《半导体材料研究进展(第1卷)》可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科研
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为了适应当前集成电路的迅猛发展和新型半导体器件的不断涌现,我们编写出版了本书一书。 本书不仅介绍和分析了集成电路领域内一些基本器件,如p-n结、双极型晶体管、单栅金属氧化物场效应管、功率晶体管等的基本结构和工作原理,还根据当前科学技术的发展,介绍和分析了一些新型器件的结构和工作原理,如铁电存储器、相变存储器、阻式存储器、多栅场效应管以及肖特基势垒源/漏结构场效应管等。 本书的作者们在集成电路领域具有多年的教学和科研经验,希望通过该书的学习或阅读,为读者了解集成电路领域传统的和新型的半导体器件结构以及它们的基本原理有所帮助。本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材,也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
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外部扰动下半导体环形激光器的非线性动力学特性及应用 张定梅 正版书籍 西南交通大学出版社
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